Die Sensorelemente in PR-Beschleunigungsmessern bestehen aus Biegeelementen auf einer mittleren Scheibe, die zwischen einer oberen und einer unteren Scheibe eingebettet ist (Abbildung 5). Die Biegung dieser Biegungen verursacht eine messbare Widerstandsänderung, die proportional zur angelegten Beschleunigung ist. Durch Änderung der Steifigkeit der Biegungen oder der seismischen Masse wird eine Auswahl von Messbereichen erreicht.
Der obere und der untere Wafer sind mit einem Glasverbund auf einen mittleren Wafer laminiert. Dadurch wird eine hermetische Umhüllung für die Biegungen sowie mechanische Anschläge zum Schutz vor Überschreitung des Messbereichs erreicht. Die Gasdämpfung verringert die Resonanzverstärkung, wenn PR-Beschleunigungsaufnehmer in Anwendungen mit hohen Stößen eingesetzt werden. Die Dämpfung reduziert die Reaktion auf hochfrequente Energie. Um die thermischen Auswirkungen auf die Dämpfung zu verringern, wird Luft anstelle einer Flüssigkeit verwendet.
Abbildung 5. Aufbau eines piezoresistiven MEMS-DC-Beschleunigungssensors
Die Sensorelemente sind in einer voll aktiven Wheatstone-Brücken-Konfiguration angeordnet. Eine voll aktive Brücke (Abbildung 6) verwendet zwei Widerstände, die sich mit der Eingangsbeschleunigung oder -kraft erhöhen, und zwei, die sich verringern. Diese werden als Zug- bzw. Druckwiderstände bezeichnet. Die Spannungsdifferenz dieser Ausgangsleitungen ist proportional zur angelegten Erregerspannung. Die bei der Anwendung verwendete Erregerspannung sollte dieselbe sein, die auch bei der Kalibrierung verwendet wurde.
Abbildung 6. Wheatstone-Brücke
Die Sensorelemente sind in der Regel auf Leiterplatten montiert, die in Titan- oder Aluminiumgehäusen untergebracht sind. Es sind auch oberflächenmontierbare Gehäuse erhältlich. Oberflächenmontierte MEMS-Sensoren werden in der Regel auf der nächsten Montagestufe gelötet oder mit Epoxidharz befestigt. Die Abbildungen 7, 8 und 9 sind Beispiele für Gehäuseformen.
Abbildung 7. PR-MEMS-Sensoren in Titangehäusen
Abbildung 8. PR MEMS-Sensor im Aluminiumgehäuse
Abbildung 9. Oberflächenmontierter PR-Beschleunigungssensor in einem bleifreien Chipträger